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首頁(yè)晶振官方博客 精工晶體技術(shù)資料

精工晶體技術(shù)資料

來(lái)源:http://konuaer.com 作者:konuaer 2012年04月25
低電榮低損耗的匹配方式.使用低匹配的設(shè)計(jì)產(chǎn)品.如手機(jī),電子表之類產(chǎn)品,可大大的節(jié)省電池的損耗,以下是一些精工晶振的解決資料,可在技術(shù)下載中下載詳細(xì)匹配資料.

對(duì)AT切晶體來(lái)說(shuō),在精工
表晶使用初期,老化主要受元件內(nèi)部應(yīng)力釋放影響,頻率向升高方向變化,而后期受電極膜吸附的影響,,其頻率按對(duì)數(shù)關(guān)系向降低方向變化,隨時(shí)間增加變化量逐漸降低,見圖4。為減小出廠時(shí)的老化率,生產(chǎn)商大都對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行了預(yù)老化。
  對(duì)老化指標(biāo),一般都規(guī)定產(chǎn)品的老化水平,而它并非明確的試驗(yàn)條件,這種“水平”,是通過(guò)生產(chǎn)有計(jì)劃的抽檢而獲得的??赡苣承﹤€(gè)別晶體元件比規(guī)定水平會(huì)差,這是允許的。
  目前電阻焊密封的石英晶振元件的老化率水平可以控制±5×10-6以下,對(duì)于普通精度產(chǎn)品(頻差大于±30×10-6)的應(yīng)用來(lái)說(shuō),老化指標(biāo)對(duì)元件工作影響并不是很重要,對(duì)于小公差(±0×10-6)以下)的晶體元器件來(lái)說(shuō)老化是需要關(guān)注的指標(biāo)。
 
 
 
colmns>表晶>低CL石英晶體諧振器
低CL諧振器的超低功耗微控制器0。精工儀器低CL世界歡迎您! (11/05/2009)精工儀器正在努力建立一個(gè)新的市場(chǎng)。作為這些努力的一部分,我們已經(jīng)制定了解決方案,降低消耗由32.768晶體振蕩電路,我們的合作,并加強(qiáng)與半導(dǎo)體制造商,有助于大大降低了待機(jī)功耗在待機(jī)狀態(tài)下消耗的電流。
我們針對(duì)各種電池供電的電子設(shè)備,特別是和我們的技術(shù)努力(低Cl諧振器的解決方案)與增加壽命和使用時(shí)間的電池,問(wèn)題將變得越來(lái)越重要的市場(chǎng),介紹如下。

介紹

在努力實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器公司,豐富的電池供電的電子設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化的微控制器產(chǎn)品陣容已經(jīng)出現(xiàn),這種微控制器的功能和性能已變得清晰。現(xiàn)在,除了在待機(jī)操作,以減少待機(jī)功耗,延長(zhǎng)電池壽命,實(shí)現(xiàn)超低功耗,在正常操作模式由間歇操作的要求是被優(yōu)先考慮。此外,微控制器,包含30千赫低速振蕩時(shí)鐘(看門狗定時(shí)器WDT),消耗盡可能少的待機(jī)電流為0.7微安或更少,使電池可以使用很長(zhǎng)一段時(shí)間(10年或以上),現(xiàn)在在實(shí)際使用中。
同時(shí),我們相信這是可能有助于增加使得減少在待機(jī)狀態(tài)下的待機(jī)功耗的RTC(實(shí)時(shí)時(shí)鐘)的最低目標(biāo)使用電池的使用時(shí)間(10年或以上)音叉晶體諧振器,32 kHz晶體振蕩電路(待機(jī)電流= 32 kHz表晶的振蕩+的RTC +其他組件<0.7微安)的電流消耗0.1微安或更少。

開發(fā)低Cl諧振器的解決方案

我們認(rèn)為有助于大大減少在待機(jī)狀態(tài)下的待機(jī)功率消耗由RTC(在1.8 V至0.7微安)是最優(yōu)先考慮的問(wèn)題,因此,我們建立了1.8伏的電流大小為0.1 UA或以下的目標(biāo)32.768 kHz晶體振蕩電路所消耗。把這樣的振蕩電路,投入實(shí)際使用,我們已經(jīng)開發(fā)出專為超低功耗微控制器設(shè)計(jì)的低Cl諧振器產(chǎn)品。

                                                               編輯:康華爾--
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