Raltron振蕩器CO2016-25.000-3.3-50-T-TR制造技術概要
　　每年我國的進出口電子元件數(shù)量數(shù)以百億計,尤其是石英晶振,電阻電容,芯片,傳感器,電感器等常用的器件,其中頻率組件是比較依賴進口的,所以國內電子元器件市場上,有非常多的進口品牌,Raltron是比較受歡迎的品牌之一,是專門研發(fā),制造,生產各種晶體和振蕩器的供應商.Raltron晶振這個品牌很多生產廠家都認識,并使用他們家的產品,石英晶體振蕩器是Raltron公司比較注重發(fā)展的模塊,也是他們公司比較盈利的產品,下面是康華爾電子整理一部分的Raltron振蕩器原廠代碼表.

CO4305-25.000-EXT-T-TR	25.000MHz	CO43晶振
CO4305-25.000-T-TR	25.000MHz	CO43晶振
C01100-66.666MHZ	66.666MHz	CO1晶振
C019100-20.000	20.000MHz	CO1晶振
C04302-27.000-EXT-T	27.000MHz	CO43晶振
C04310-32.000-EXT-T-TR	32.000MHz	CO43晶振
C04310-32.000-EXT-TR	32.000MHz	CO43晶振
C04610-80.000-T-TR	80.000MHz	CO46晶振
C04810-20.000MHZ-EXT-TR	20.000MHz	CO48晶振
CO1100-7.777728MHZ-40	7.777728MHz	CO1晶振
CO13100-32.000-EXT	32.000MHz	CO1晶振
CO2016-20.000-3.3-50-T-TR	20.000MHz	CO2016晶振
CO2016-25.000-3.3-50-T-TR	25.000MHz	CO2016晶振
CO2016-50.000-3.3-50-T-TR	50.000MHz	CO2016晶振
CO4302-25.000-EXT-T-T	25.000MHz	CO43晶振
CO4302-40.000-T-EXT-TR	40.000MHz	CO43晶振
CO43025-14.31818-T	14.31818MHz	CO43晶振
CO43025-20.000-EXT-T-TR	20.000MHz	CO43晶振
CO43025-24.576-T-TR	24.576MHz	CO43晶振
CO43025-25.000-T-TR	25.000MHz	CO43晶振
CO43025-32.000-EXT-T-TR	32.000MHz	CO43晶振
CO43025S-25.000-EXT-TR	25.000MHz	CO43晶振
CO4305-16.000-EXT-TR	16.000MHz	CO43晶振
CO4305-24.000-T-TR	24.000MHz	CO43晶振
CO4305-24.576-EXT-T-T	24.576MHz	CO43晶振
CO4305-25.000-EXT-TR	25.000MHz	CO43晶振
CO4305-25.000-EXT-TR-L30	25.000MHz	CO43晶振
CO4305-30.000MHZ-T	30.000MHz	CO43晶振
CO4305-33.000-EXT-T-TR	33.000MHz	CO43晶振
CO4305-33.333-EXT-TR	33.333MHz	CO43晶振
CO4305-40.000-EXT-T-TR	40.000MHz	CO43晶振
CO4305-48.000-EXT-T-TR	48.000MHz	CO43晶振
CO4305-50.000-EXT-TR	50.000MHz	CO43晶振
CO4310-20.000-EXT-T-TR	20.000MHz	CO43晶振
CO4310S-16.384-TR	16.384MHz	CO43晶振
CO4605-100.000-EXT-T-TR	100.000MHz	CO46晶振
CO4605-125.000-EXT-TR	125.000MHz	CO46晶振
CO4805-27.000-EXT-TR	27.000MHz	CO48晶振
CO4810-12.000-EXT-T-TR	12.000MHz	CO48晶振
COM13025-24.000-EXT-T-TR	24.000MHz	COM1晶振

　　在廣大用戶的心中,Raltron振蕩器一直是高品質,高性能的代表,普遍都有低電壓,低功耗,低耗能,低電平,高穩(wěn)定性,高可靠性,環(huán)保無鉛等優(yōu)良特性.得益于Raltron先進的技術和工藝,接下來為大家介紹下,一些關于石英晶體振蕩器的知識,以及制造技術.

　　ASICS中的振蕩器單元對時鐘振蕩器的銷售產生了毀滅性影響.用戶的時鐘成本降低了至少50％.占地空間的減少通常是原來的10倍.在許多用戶應用中,振蕩器是板上只有少量模擬電路的數(shù)字電路之一,板上只有少數(shù)模擬電路.通常,在ASIC制造商的應用筆記的幫助下,數(shù)字技術領域的工程師通常要設計模擬電路.
　　ASIC供應商的應用筆記通常是通過收集由另一器件驅動的以其他頻率工作在其他地方的電路來編寫的.設計人員的這種結合通常會導致對晶體制造商的技術支持,通常是在PCB設計完成并投入生產之后.
　　許多大型用戶會以百萬分之幾的缺陷零件(DPPM)記錄晶體故障.使用高速自動組裝設備,紅外焊錫回流焊技術和自動電氣測試完成電路板組裝后,用戶對100DPPM的結果不滿意.
　　預期無源元件的電平為15DPPM–通常不選擇更改有時不是最佳的有源晶振設計.本文的基本目的是向新手表明一些改進ASIC單元周圍電路設計的方法.本文將討論有限增益的影響,改進的外部元件選擇及其選擇方法.本文還包括用于計算許多參數(shù)的Lotus1-2-3電子表格程序.
振動基礎
　　諧波振蕩器必須符合Barkhausen的標準,要求同時滿足相位和增益標準才能提供持續(xù)的振蕩.
　　標準＃1:閉環(huán)周圍的增益總和應等于或大于1.
　　準則2:圍繞閉環(huán)的相移總和應等于N*360度相位,其中N是0、1、2等的整數(shù)值.
負電阻.
　　負電阻是放大器增益的同義詞.一些晶振供應商的目錄具有類似的測量負電阻的基本方法.負電阻(-R)是跨導(gm)*XC1*XC2的乘積.-R由正電阻減小,例如輸出電阻,相移電阻等.
ASIC細胞特性.
　　當今大多數(shù)ASIC單元都使用單級無緩沖HCMOS反相器.電池具有高輸入阻抗-通常為10Meg歐姆,并聯(lián)有7pf電容.輸出阻抗低得多–100至500歐姆,有效輸出電容為25pf.從ASIC輸出到ASIC輸入的反饋電容約為7pf.
　　通過ASIC的負電阻(-r)和延遲時間(td)未標準化.PCB通常包括有效的接地屏蔽以降低EMI.這種屏蔽和可變的電路走線長度會降低電路的穩(wěn)定性,并使雜散電容增加到典型的7到10pf的凈值.
阻抗匹配.
　　外部元件的選擇應考慮反饋電路與放大器電路的阻抗匹配的必要性.權衡是頻率穩(wěn)定性與功率傳輸.為了使溫補晶振和OCXO等電路具有最大的頻率穩(wěn)定性,不匹配是合乎需要的.高穩(wěn)定性電路應設計用于較大的失配；也就是說,電抗應該與大電阻阻抗分流.不匹配會在工作頻率上產生高的相位變化率,這直接關系到穩(wěn)定性.
　　邏輯時鐘不是精確的頻率參考.邏輯時鐘需要可靠的電路設計.理想的特性包括快速啟動時間,低EMI,無信號丟失以及克服電路參數(shù)變化的能力(例如,較小的活動度隨溫度變化),外部影響(例如未清除的助焊劑,可能會積聚導電性污垢或有時只是手指在內部或附近)電路.邏輯時鐘需要具有通過晶體傳輸大量電流的能力,因此需要放大器輸出阻抗的緊密匹配.
外部電路上的ASIC輸出負載.
　　先前曾提到典型ASIC的輸出阻抗很低.該阻抗與電容器C2直接并聯(lián)-參考圖1.這個細節(jié)是設計貼片振蕩器時最容易被忽視的誤差之一.
　　電容器的Q定義為Rparallel/Xc.如果選擇C2的電抗為–j500歐姆,而ASIC柵極輸出阻抗為100歐姆,則電容器的Q值僅為0.2.這等效于插入一個與C2串聯(lián)的2500歐姆電阻.與小電容器并聯(lián)的低電阻是沒有電容的低電阻.
Raltron振蕩器CO2016-25.000-3.3-50-T-TR制造技術概要

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