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更多>>貼片晶振,愛(ài)普生有源晶振,SG-8002JC晶振,安卓手機(jī)晶振, 有源晶振是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
晶振參數(shù) | 符號(hào) | SG-8002JC |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | fo | 1.0MHZ to 125.0MHZ |
電源電壓 | Vcc | 4.5V~5.5V |
存儲(chǔ)溫度 | T_stg | -55℃~+125℃ |
工作溫度 | T_use | -20℃~+70℃ |
頻率公差 | F_tol | ±50.0 × 10-6 Max |
電流消耗 | Icc | 30 mA MAX |
輸出當(dāng)前禁用 | I_dis | 16 mA MAX |
靜態(tài)電流 | I_std | 50 uA MAX |
對(duì)稱性 | SYM | 40% to 60% |
輸出負(fù)載 | L_CMOS | 15pF Max |
輸出電壓 | VOH | Vcc-0.4V Min |
VOL | 0.4V Max | |
上升/下降時(shí)間 | tr/tf | 3ns Max |
啟動(dòng)時(shí)間 | T_str | 10ms Max |
頻率老化 | F_aging | ±5.0 × 10-6 / years Max |
石英晶體共振子應(yīng)用在并聯(lián)振蕩線路上, 振蕩頻率與負(fù)載電容CL有很大的關(guān)系. 這在前面的公式(3)就可以看到. (圖) 是以并聯(lián)振蕩線路上FL頻率對(duì)負(fù)載電容CL的變化曲線示意圖.
頻率的“牽引率”指的是負(fù)載電容CL1的頻率FL1到負(fù)載電容CL2的頻率FL2的頻率變化. 在(圖十一)中可以是FL1(CL=24pF)與FL2(CL=10pF)的頻率變化值. 在這個(gè)例子中的頻率牽引率是 220 ppm. 若我們將CL1與CL2的負(fù)載電容值趨近極小化(曲線作數(shù)學(xué)上的微分), 就會(huì)得到曲線的切線值. 這個(gè)切線值就是用某一個(gè)負(fù)載電容的敏感度( trim sensitivity ).在(圖)中, CL=24 pF 時(shí)的頻率敏感度是10 ppm/pF, 及CL=10 pF時(shí)的頻率敏感度是20 ppm/pF. 在并聯(lián)線路中, 負(fù)載電容越小, 頻率對(duì)負(fù)載電容變化的敏感度越高. 相反的, 負(fù)載電容越大, 頻率對(duì)負(fù)載電容變化的敏感度越低. 這就是石英晶體共振子用于VCXO線路上時(shí), 線路設(shè)計(jì)上會(huì)選用較小負(fù)載電容. 反之, 在要求較準(zhǔn)確的頻率信號(hào)時(shí), 線路設(shè)計(jì)上會(huì)選用較高的負(fù)載電容.
愛(ài)普生以“省、小、精技術(shù)”為基礎(chǔ),通過(guò)商品、服務(wù)、生產(chǎn)及銷售的每個(gè)環(huán)節(jié)提供被顧客所追求的降低環(huán)境負(fù)荷的價(jià)值.
新的視角:實(shí)現(xiàn)能夠改變顧客行為和業(yè)務(wù)模式的新商品、服務(wù)、功能和使用方案,降低環(huán)境負(fù)荷.
商品:進(jìn)一步追求商品的小型輕量、節(jié)能、可循環(huán)和長(zhǎng)壽命化,以滿足顧客需求的商品實(shí)現(xiàn)生命周期環(huán)境負(fù)荷減半.
生產(chǎn):配合“降低總成本活動(dòng)”和“品質(zhì)提高活動(dòng)”,實(shí)現(xiàn)高效、低環(huán)境負(fù)荷的生產(chǎn)工藝,從而奠定降低商品環(huán)境負(fù)荷的基礎(chǔ).
環(huán)保社區(qū):開(kāi)展以商品與服務(wù)為核心的環(huán)保社區(qū)活動(dòng),為社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展而挑戰(zhàn).
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