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來(lái)源:http://konuaer.com 作者:康華爾電子 2022年09月08
隨著5G時(shí)代的到來(lái),5G晶振的重要性也不言而喻,愛(ài)普生晶振SG2016CAN可以用于5G前傳的25G光模塊,具有超小型輕薄型,高穩(wěn)定性、寬溫等優(yōu)勢(shì)。在5G前傳光纖傳輸網(wǎng)絡(luò)中,25G光模塊是主流方案。在方案中,控制MCU需要具有I2C、ADC、DAC和多個(gè)IO口功能。由于波分方案中,需要使用TEC進(jìn)行溫度控制,TEC Driver必不可少。為了節(jié)約成本,TEC Driver可以采用分立器件,用MCU的PWM控制進(jìn)行TEC調(diào)節(jié)。為了提高M(jìn)CU的控制精度,MCU需要使用精度更高的外部5G晶振。EPSON公司推出的5G晶振SG2016CAN,是一款CMOS輸出的石英晶體振蕩器。頻率穩(wěn)定度可達(dá)±50PPM,頻率老化度僅為±3PPM/year,具有較高的穩(wěn)定性,滿(mǎn)足光模塊長(zhǎng)期使用的要求。SG2016CAN封裝小,尺寸為2.0mm×1.6mm×0.7mm,光模塊體積小,采用2016封裝,更容易PCB設(shè)計(jì)。SG2016CAN的工作溫度范圍:-40℃~105℃,具有較高的工作溫度。5G前傳光模塊中,一般需要選擇寬溫的工作期間,所以5G晶振也需要更高的溫度范圍,使用愛(ài)普生晶振SG2016CAN可以滿(mǎn)足光模塊高溫的需求,X1G004801005900,有源晶振
愛(ài)普生晶振SG2016CAN可以滿(mǎn)足光模塊高溫的需求,X1G004801005900,有源晶振
SG2016CAN有源晶振還具有超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。響應(yīng)時(shí)間僅為3ms,上升/下降延遲時(shí)間為4ns。在工作頻率為20MHz,無(wú)負(fù)載情況時(shí),工作電流可達(dá)1.8mA,待機(jī)狀態(tài)下的電流可達(dá)2.7μA。所以,在5G前傳光模塊方案中,如果需要MCU主頻更穩(wěn)定,外置高溫、穩(wěn)定性好的5G晶振時(shí),EPSON公司推出的SG2016CAN是較理想的選擇。
貼片晶振 | 型號(hào) | 頻率 | 尺寸 | 輸出波 |
X1G004801000200 | SG2016CAN | 24.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801000300 | SG2016CAN | 26.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801000700 | SG2016CAN | 12.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801001200 | SG2016CAN | 25.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801001300 | SG2016CAN | 50.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801001400 | SG2016CAN | 16.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801001800 | SG2016CAN | 20.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801002000 | SG2016CAN | 48.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801002100 | SG2016CAN | 27.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801002400 | SG2016CAN | 25.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801002600 | SG2016CAN | 33.333300MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801002700 | SG2016CAN | 10.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801002800 | SG2016CAN | 50.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801002900 | SG2016CAN | 10.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801003000 | SG2016CAN | 4.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801003100 | SG2016CAN | 24.576000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801003500 | SG2016CAN | 25.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801003600 | SG2016CAN | 40.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801003900 | SG2016CAN | 26.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801004000 | SG2016CAN | 24.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801004400 | SG2016CAN | 12.288000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801004500 | SG2016CAN | 8.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801004600 | SG2016CAN | 8.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801004900 | SG2016CAN | 4.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801005000 | SG2016CAN | 12.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801005100 | SG2016CAN | 12.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801005200 | SG2016CAN | 12.288000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801005300 | SG2016CAN | 12.288000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801005400 | SG2016CAN | 14.745600MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801005500 | SG2016CAN | 14.745600MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801005600 | SG2016CAN | 16.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801005700 | SG2016CAN | 20.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801005800 | SG2016CAN | 20.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801005900 | SG2016CAN | 24.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801006000 | SG2016CAN | 24.576000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801006100 | SG2016CAN | 27.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
X1G004801006200 | SG2016CAN | 32.000000MHz | 2.00x1.60x0.70mm | CMOS |
SG2016CAN有源晶振還具有超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。響應(yīng)時(shí)間僅為3ms,上升/下降延遲時(shí)間為4ns。在工作頻率為20MHz,無(wú)負(fù)載情況時(shí),工作電流可達(dá)1.8mA,待機(jī)狀態(tài)下的電流可達(dá)2.7μA。所以,在5G前傳光模塊方案中,如果需要MCU主頻更穩(wěn)定,外置高溫、穩(wěn)定性好的5G晶振時(shí),EPSON公司推出的SG2016CAN是較理想的選擇。
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