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首頁網(wǎng)絡(luò)設(shè)備產(chǎn)品KDS有源晶振,DSA221SCL貼片晶振,壓控溫補振蕩器
KDS有源晶振,DSA221SCL貼片晶振,壓控溫補振蕩器,小尺寸的TCXO溫補晶振內(nèi)部晶片焊接模式采用了,高精密點膠技術(shù),晶片膠點的位置、大?。何恢脺蚀_度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內(nèi),確保TCXO晶體產(chǎn)品精度,穩(wěn)定性能良好發(fā)揮功能.
規(guī)格參數(shù) | DSA221SCL | |
頻率范圍 | 9.6~52.0MHZ | |
電源電壓 | +1.7 ~ +3.5V | |
消費電流 |
+1.5mA max (f≤26MHZ) +2.0mA max (f>26MHZ) |
|
出力電壓 | 0.8 Vp-p min | |
溫度特征 |
±2.0×10-6 max / -30~+85℃ @CDMA ±2.0×10-6 max / -30~+85℃ @GSM |
|
出力負荷 | 10KΩ//10pF | |
負荷變動特性 | ±0.2×10-6 max (10KΩ//10pF±10%) | |
電源電壓特性 | ±0.2×10-6 max (Vcc±5%) | |
老化率 | ±1.0×10-6 max /year | |
起動時間 | 2.0ms max |
大真空針對晶體產(chǎn)品中所含的以鉛為首的六價鉻、汞、鎘、PBB、PBD等RoHS指令(Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances)及車載相關(guān)管制的ELV(End of Life Vehicles Directive)中列明的管制物質(zhì)、以及阻燃劑中 使用的鹵素化合物,積極開展削減工作,并準備了RoHS/ELV指令對應產(chǎn)品、無鹵產(chǎn)品以及無鉛產(chǎn)品.
高溫焊錫和DSX-G系列的低熔點玻璃中所含的鉛以及DSO/DSV753H系列、DSV753C系列、DLC117中使用的片狀電阻中所含的鉛不屬于RoHS指令(Directive of the Restriction of the use of the Hazardous Substances)以及ELV指令(End of Life Vehicles Directive)的適用范圍,被允許使用.
經(jīng)由不同的石英切割角度及不同電極型狀的電場效應, 石英芯片展現(xiàn)了各種不同的振動模態(tài). 以經(jīng)常產(chǎn)生的振動模態(tài)可以概分為擾曲模態(tài)(flexure mode), 伸縮模態(tài)(extension mode), 面剪切模態(tài)(face shear mode) 和 厚度剪切模態(tài)(thickness shear mode). 這幾種振動模態(tài)以簡單的方法在表一中可以看到. 在實際狀況中, 石英芯片并不是一定祇有單一種振動模態(tài), 而可能有多種模態(tài)同時存在在一個石英芯片的振蕩中, 經(jīng)由適當?shù)脑O(shè)計, 可以壓制其它不希望產(chǎn)生的振動模態(tài)(unwanted mode), 來達到主要振動模態(tài)的最佳化.
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